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igbt如何当作开关使用

时间:2025-05-04 21:13 阅读数:1892人阅读

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茂睿芯申请一种MOSFET与IGBT的并联电路及开关专利,可实现...金融界2024年12月2日消息,国家知识产权局信息显示,茂睿芯(深圳)科技有限公司申请一项名为“一种MOSFET与IGBT的并联电路及开关”的专利,公开号CN 119051419 A,申请日期为2024年10月。专利摘要显示,一种MOSFET与IGBT的并联电路及开关,涉及电力电子技术领域。该电路包...

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...驱动的通信方法专利,能够在实现 IGBT 开关控制的同时,完成 IGBT ...当关断 IGBT 时,向驱动板发送关断信号;接收驱动板依次发送的应答信号与状态数据帧;应答信号为电平信号,状态数据帧采用曼彻斯特编码进行编码,且状态数据帧包括数据标识符与相应的状态数据。应用该方法能够在实现 IGBT 开关控制的同时,完成 IGBT 驱动策略与 IGBT 状态数据的传...

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禾望电气取得IGBT驱动电路专利,有效降低开关损耗,减小关断时间其中电容C的一端连接IGBT的集电极,C的另一端与电阻R连接,电阻R的另一端连接IGBT的发射极;所述电阻R的两端电压作为所述滞回比较电路的输入;该IGBT驱动电路可以有效减小IGBT关断时因换流路径产生的模块两端电压Vce,并且还可以降低开关损耗,减小关断时间,设计的电路成本低...

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...级联式高压变频器专利,通过对IGBT通断时间分配达到控制开关管效果电网电压相位检测单元、主控制器及功率单元控制芯片。通过这些装置,它能够根据电网电压实时相位和功率单元的输入电压的相移关系,计算每个功率单元的IGBT控制信号。本发明通过对IGBT通断时间分配来控制开关管,不需要高频PWM信号,也不需要很高的IGBT开关频率。本文源自...

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北一半导体申请一种 IGBT 器件及其制作方法专利,大幅提升器件开关速度金融界 2024 年 11 月 22 日消息,国家知识产权局信息显示,北一半导体科技(广东)有限公司申请一项名为“一种 IGBT 器件及其制作方法”的专... 接近金属方阻,栅极电压通过沟槽内的中间的金属栅极传导至每一个元胞,大幅提升了器件对栅极电压的响应,进而提升了器件的开关速度,提升了...

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宏发股份:公司目前没有IGBT和e-Fuse产品布局金融界8月5日消息,有投资者在互动平台向宏发股份提问:董秘您好!IGBT和e-Fuse方面公司是否有技术布局?这两种技术对继电器的替代机会和潜力在哪些领域较大?公司有何打算?公司回答表示:公司目前没有IGBT和e-Fuse产品布局,IGBT和e-Fuse在控制开关领域与继电器并非绝对的替代...

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恩玖科技申请分离式IGBT模组智能控制专利,提高模组的可靠性本发明供了一种分离式IGBT模组的智能控制方法、系统和存储介质,首先,获取第一电压信息,根据所述第一电压信息调节电源隔离开关的通断状态;当电源隔离开关处于闭合状态时,获取第二电压信息,根据所述第二电压信息得到第一温度信息;然后,根据所述第一温度信息,第一增益信息;最后...

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●△● 科威尔获得实用新型专利授权:“一种I型三电平IGBT模块动态特性测试...专利名为“一种I型三电平IGBT模块动态特性测试电路”,专利申请号为CN202420674650.3,授权日为2025年1月21日。专利摘要:本实用新型提供一种I型三电平IGBT模块动态特性测试电路,属于IGBT模块的动态参数测试领域,包括IGBT模块、充放电控制单元、电容C1、开关K2、开关K3...

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苏州固锝连续4个交易日放量,放量区间跌幅1.32%开关二极管、稳压二极管、三极管、MOSFET、IGBT、SiC器件、整流桥堆、光伏旁路模块、无引脚集成电路、MEMS传感器。公司连续多年被中国半导体行业协会评为“中国半导体功率器件十强企业”,整流二极管销售额连续十多年居中国前列。未来随着半导体行业周期的恢复及“...

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(^人^) 三清互联申请一种双稳态智能型永磁开关驱动器专利,使用本发明制造...IGBT 驱动电路包括四路驱动电路,每路包括依次连接的光电隔离芯片、推挽电路、IGBT 驱动电路,四路驱动电路输入端的光电隔离芯片互锁连接。本发明具备硬件互锁保护、负压关断保护,使用本发明制造的双稳态智能型永磁开关驱动器具有成本低,稳定性高,制造简易,工作寿命长等优点...

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